一种基于半分析法的HEMT小信号参数的提取方法

• 作者: 范彩云 高建军
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高速电子迁移率半导体晶体管 寄生电阻 多偏置情况 半分析法 小信号模型
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 页码范围: 72-77
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.6
• 字数: 789字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1010.2014.00072

摘要

提出了一种基于半分析法的高速电子迁移率半导体晶体管小信号模型的提取方法.此方法是用测试结构的方法来提取焊盘电容和寄生电感,半分析法来提取寄生电阻,提高了寄生电阻的提取精度.在频率高达40 GHz的范围内,多偏置情况下模拟的S参数和测试的S参数曲线吻合良好,证明这种方法是正确的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高建军	华东师范大学信息科学技术学院	24	42	3.0	5.0
2	范彩云	华东师范大学信息科学技术学院	1	1	1.0	1.0