基于微波S参数测试的MOSFET小信号参数半分析法提取

• 作者: 于盼盼 周影 高建军
• 来源期刊: 南通大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 微波 S参数测试 金属氧化物半导体场效应晶体管 小信号建模 半分析法
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 电子 信息工程与计算机科学
• 页码范围: 6-11
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 1987字
• 语种: 中文

摘要

基于90 nm金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)器件的S参数测试的结果,对测试结构进行去嵌,采用直接提取法提取测试结构的寄生元件参数.在去除寄生元件参数的影响后,以仿真模型的S参数和测量所得的S参数之间的差值作为优化标准,应用半分析法提取小信号模型的各个元件参数.结果表明:在1～40 GHz的频率范围内,模拟的S参数和测试的S参数在史密斯圆图中吻合良好,两者之间的误差均处于较低水平,验证了模型的准确性和参数提取方法的正确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高建军	华东师范大学信息科学技术学院	24	42	3.0	5.0
2	周影	华东师范大学信息科学技术学院	4	21	2.0	4.0
3	于盼盼	华东师范大学信息科学技术学院	3	2	1.0	1.0