无氨氮化硅薄膜在MEMS硅腐蚀中的应用

• 作者: 徐永青 杨志 胥超
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 无氨氮化硅 硅腐蚀 等离子体增强化学汽相淀积(PECVD) 腐蚀比 颗粒
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 194-197,202
• 分类号: TN305.2|TH703
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2014.03.010

摘要

研究了等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)生长的无氨氮化硅薄膜作为掩蔽层在MEMS硅腐蚀工艺中的应用.比较了PECVD不同工艺条件(衬底温度和功率)以及不同四甲基氢氧化铵(TMAH)硅腐蚀液温度对无氨氮化硅薄膜硅腐蚀掩蔽效果的影响.通过优化无氨氮化硅薄膜生长条件和硅腐蚀液温度,得到了高质量的氮化硅薄膜,颗粒以及针孔密度较少,0.2 μm以上颗粒度小于100,提高了硅腐蚀掩蔽选择比.实验结果显示优化生长条件的氮化硅薄膜(衬底温度350℃,功率30 W),在85℃的TMAH硅腐蚀液中,硅的腐蚀速率为68tm/h,氮化硅薄膜腐蚀速率为33.2 nm/h,硅与氮化硅的腐蚀选择比为2048,满足MEMS体硅腐蚀工艺对于掩膜特性的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐永青	中国电子科技集团公司第十三研究所	11	118	5.0	10.0
2	杨志		9	50	4.0	7.0
3	胥超	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	30	4.0	5.0