一种新型双通道 MOS 开关栅压自举电路

• 作者: 庄奕琪 张丽 景鑫 杜永乾 汤华莲
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 自举电路 线性 CMOS开关 常数导通电阻 电荷泵 开关电容电路 低电压
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 页码范围: 138-144
• 页数: 7页
• 分类号: TN432
• 字数: 5611字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2014.03.020

摘要

设计了一种新的低压、高速、高线性度的双通道 MOS 开关栅压自举电路，该电路采用同时自举NMOS 和 PMOS 的并行结构，不但降低了 MOS 开关的导通电阻值，同时在输入信号的全摆幅范围内实现了常数的导通电阻；考虑了器件可靠性要求且与标准的 CMOS 工艺技术兼容．采用0.13μm CMOS 工艺和1.2 V 工作电压的仿真实验表明，提出开关的导通电阻在全摆幅输入信号范围内的变化量小于4.3％；在采样频率为100 M Hz ，输入峰峰值为1 V ，输入频率为100 M Hz时，提出开关的总谐波失真达到-88．33 dB ，较之传统的 NMOS 自举开关以及标准的 CMOS 传输门开关，分别提高了约-14.8 dB 和-29 dB ．设计的开关可应用于低压、高速高精度的开关电容电路中．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄奕琪	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	183	1168	15.0	22.0
2	杜永乾	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	11	78	5.0	8.0
3	景鑫	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	7	57	5.0	7.0
4	汤华莲	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	19	89	5.0	8.0
5	张丽	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	25	178	9.0	12.0