光辐照对单根In掺杂ZnO纳米线电学性质的影响

• 作者: 唐欣月 张锷 温静 王明姣 高红
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 铟掺杂ZnO纳米线 紫外光辐照 肖特基接触 欧姆接触
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 页码范围: 345-349
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 2626字
• 语种: 中文

摘要

通过化学气相沉积方法成功制备了高质量的In掺杂ZnO纳米线.选用325 nm的He-Cd激光器做为光源,进一步探究了单根In掺杂ZnO纳米线的光响应特性.结果表明:紫外光辐照可使金属电极与纳米线之间的有效肖特基接触势垒下降,使接触类型由肖特基接触转变到欧姆接触;撤去紫外光后,电极与纳米线之间的接触可以恢复到未光照时的肖特基接触.讨论了肖特基接触与欧姆接触之间转变的物理机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高红	哈尔滨师范大学物理与电子工程学院光电带隙材料省部共建教育部重点实验室	41	128	5.0	10.0
2	唐欣月	哈尔滨师范大学物理与电子工程学院光电带隙材料省部共建教育部重点实验室	5	6	2.0	2.0
3	王明姣	哈尔滨师范大学物理与电子工程学院光电带隙材料省部共建教育部重点实验室	1	2	1.0	1.0
4	温静	哈尔滨师范大学物理与电子工程学院光电带隙材料省部共建教育部重点实验室	2	10	2.0	2.0