4英寸碳化硅快速同质外延生长研究

• 作者: 杨霏 温家良 钮应喜 陈新
• 来源期刊: 智能电网
• 学科: 工学
• 关键词: 化学气相沉积 4H-SiC 同质外延 缺陷
• 年，卷（期）: 2014,（12）
• 所属期刊栏目: 学术研究与应用
• 页码范围: 21-24
• 页数: 4页
• 分类号: TM51
• 字数: 2319字
• 语种: 中文

摘要

采用热壁化学气相沉积法在4英寸4H-SiC衬底上进行同质外延生长，研究硅烷流量、温度的变化对外延生长速率、表面形貌以及表面缺陷的影响。外延生长速率最高达到26.8μm/h，优化后在22μm/h的生长速率上获得表面光滑的外延层。通过原子力显微镜分析，优化后的外延层表面粗糙度达到0.12 nm；通过表面缺陷测试仪分析，优化后的外延层表面缺陷密度达到0.36 cm–2。研究发现，温度变化会对表面粗糙度以及表面缺陷有很大的影响，通过提高温度可获得无硅滴、低缺陷密度的高质量碳化硅外延材料。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨霏		10	18	3.0	4.0
2	陈新		32	225	8.0	13.0
3	温家良		16	304	11.0	16.0
4	钮应喜		4	6	1.0	2.0