低功耗高集成度CMOS神经信号放大器

• 作者: 刘鸣 张旭 杜智超 陈弘达
• 来源期刊: 高技术通讯
• 关键词: 神经信号放大器 T型电容反馈网络 高集成度 输入阻抗 低功耗
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 先进制造与自动化技术
• 页码范围: 104-110
• 页数: 7页
• 字数: 3648字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3772/j.issn.1002-0470.2014.01.016

摘要

针对传统电容耦合-电容反馈型神经信号放大电路芯片面积过大、输入电阻低的缺陷,设计并实现了一款16通道带通胞外神经信号放大器.它通过采用新型的交流耦合T型电容网络反馈式拓扑结构,在保证低噪声和高输入阻抗的前提下减少了芯片的面积.芯片每个通道的中频增益为40.6dB,直流增益为0 dB.其-3dB高频截止频率为5kHz,而其低频截止频率可以通过调节晶体管的栅电压而进行优化.在供电电压为±1.65V的情况下,芯片在记录多通道局部场电位(LFPs)时,从1Hz到10kHz频率积分得到的输入参考噪声为4.99 μVrms,其每通道功耗为19.8μW.芯片总面积为2062.5 μm×525.7μm,平均每通道0.02 mm2,由0.35-μm CMOS N-well 2P4M工艺实现.相比于传统结构的CMOS神经信号放大器,该设计在集成度及功耗上占优势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张旭	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室	159	1272	18.0	30.0
2	陈弘达	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室	82	341	10.0	13.0
3	刘鸣	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室	16	265	8.0	16.0
4	杜智超	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室	3	4	1.0	2.0