银掺杂对MoS2薄膜特性的影响

• 作者: 吴凯 吴晨 张熠 杨帆 顾伟霞 马锡英
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 二硫化钼(MoS2) 化学气相沉积(CVD) 晶体结构 光吸收特性 迁移率
• 年，卷（期）: 2014,（8）
• 所属期刊栏目: 材料与结构
• 页码范围: 498-502
• 分类号: TB383
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2014.08.003

摘要

二硫化钼(MoS2)是一种具有类似石墨烯结构和性能的新型二维层状化合物,近年来因其独特的物理化学特性而成为研究热点.采用化学气相沉积法(CVD),以掺杂银的MoS2饱和溶液为原料,氩气为输运气体,在p-Si衬底上制备MoS2薄膜,并研究了银掺杂对MoS2薄膜的表面形貌、晶体结构、光吸收特性以及电学特性的影响.研究发现,银掺杂并未改变MoS2薄膜的晶体结构,而使MoS2薄膜的结晶度更好;银掺杂的MoS2薄膜反射率降低,光吸收增强,进而可以提高器件的光电转换效率.另外,银掺杂的MoS2薄膜表面更均匀平整,同时具有更良好的电学特性,其电子迁移率高达1.154×104 cm2·V-1·s-1,可用于制造一些晶体管和集成电路等半导体器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马锡英	苏州科技学院数理学院	34	79	6.0	7.0
2	顾伟霞	苏州科技学院数理学院	6	34	3.0	5.0
3	吴晨	苏州科技学院数理学院	1	15	1.0	1.0
4	杨帆	苏州科技学院数理学院	4	15	1.0	3.0
5	张熠	苏州科技学院数理学院	1	15	1.0	1.0
6	吴凯	苏州科技学院数理学院	3	15	1.0	3.0