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摘要:
提出了一种基于电流反馈控制的双通道忆阻器写操作方法,利用镜像电流源分别作用于参考通道和忆阻通道,讨论了参考通道对写操作精确度的影响,并与一种经典的电压反馈控制忆阻器写操作方法进行数值分析和电路仿真比较。结果表明:这种方法对忆阻器的写操作将具有更好的准确度和可靠性,证明了这种具有参考通道的忆阻器写操作方法的可行性。
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文献信息
篇名 基于电流反馈的双通道忆阻器写操作方法
来源期刊 华中科技大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 忆阻器 电流控制 反馈 双通道 存储单元结构 误差分析
年,卷(期) 2014,(10) 所属期刊栏目 电子与信息工程
研究方向 页码范围 1-4
页数 4页 分类号 TM50
字数 语种 中文
DOI 10.13245/j.hust.141001
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 沈轶 华中科技大学自动化学院 75 730 14.0 23.0
2 李薇 中南民族大学计算机科学学院 22 22 3.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
忆阻器
电流控制
反馈
双通道
存储单元结构
误差分析
研究起点
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期刊影响力
华中科技大学学报(自然科学版)
月刊
1671-4512
42-1658/N
大16开
武汉市珞喻路1037号
38-9
1973
chi
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