XF3（X=N,P,As）分子价层电离势的三阶代数图-表构建法计算

• 作者: 杨文艳 陈恒杰
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: XF3 (X=N,P,As) 价层垂直电离势 三阶代数图-表构建法
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 原子、分子结构与光谱
• 页码范围: 515-520
• 页数: 6页
• 分类号: O561.3
• 字数: 3800字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2014.04.001

摘要

应用三阶代数图-表构建法(third-order algebraic diagrammatic construction scheme 简写为 ADC (3))计算了XF3(X=N,P,As)的价层垂直电离势(VIP).结果表明：内壳层电子关联对电离主峰位置影响非常小；来自不同理论结果的分子结构对电离主峰位置有较小影响；基组差异则表现的非常明显.由计算值和实验结果比较可知：在实验分子结构和 cc-pVDZ基组下,应用 ADC(3)得到的电离势与实验值整体上差距最小；ADC(3)计算的第一电离势往往小于实验值约0.4~0.8 eV,其余主峰位置与实验值差距约0.01~0.3 eV；随基组增大,ADC(3)结果与实验值偏差明显增大.因此,利用 ADC(3)方法计算价层电离势时,建议使用价层电子关联,基组则采用 cc-pVDZ或DZP,结构除采用实验外也可直接从耦合簇、密度泛函等理论获得.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈恒杰	重庆科技学院数理学院	25	36	3.0	4.0
2	杨文艳	重庆科技学院数理学院	14	23	2.0	4.0