无螺旋电感的小面积SiGe HBT宽带低噪声放大器

• 作者: 丁春宝 张万荣 谢红云 赵彦晓 郭振杰 金冬月 高栋
• 来源期刊: 北京工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe HBT 有源电感峰化技术 噪声抵消支路 宽带低噪声放大器 射频前端
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 电子信息工程
• 页码范围: 690-695
• 页数: 6页
• 分类号: TN722.3
• 字数: 3193字
• 语种: 中文

摘要

设计了一款无螺旋电感的1 ～6 GHz频段的小面积高性能SiGe HBT宽带低噪声放大器(wideband low noise amplifier,WLNA).采用具有优良阻抗匹配特性的共基放大器作为输入级,并采用噪声抵消技术抵消其噪声达到输入噪声匹配;共射放大器作为输出级,有源电感替代螺旋电感实现电感峰化技术来扩展频带宽度、提高增益的平坦度.基于Jazz 0.35 μm SiGe BiCMOS工艺,完成了版图设计,WLNA的版图尺寸仅为105 μm×115 μm,与使用螺旋电感的WLNA相比,芯片面积大大减小.利用安捷伦公司的射频/微波集成电路仿真工具ADS进行了验证.结果表明:该WLNA在1～6 GHz频段内,S21＞16 dB,NF＜ 3.5 dB,S11＜-10 dB,S22＜-10dB.对于设计应用于射频前端的小面积、低成本、高性能的单片WLNA具有一定的指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张万荣	北京工业大学电子信息与控制工程学院	105	390	8.0	12.0
2	金冬月	北京工业大学电子信息与控制工程学院	49	155	8.0	8.0
3	谢红云	北京工业大学电子信息与控制工程学院	66	215	8.0	9.0
4	丁春宝	北京工业大学电子信息与控制工程学院	21	83	6.0	7.0
5	赵彦晓	北京工业大学电子信息与控制工程学院	9	29	3.0	5.0
6	郭振杰	北京工业大学电子信息与控制工程学院	5	27	3.0	5.0
7	高栋	北京工业大学电子信息与控制工程学院	5	24	3.0	4.0