隧道场效应晶体管静电放电冲击特性研究

• 作者: 张兴 张立忠 曹健 王源 贾嵩 陆光易
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 隧道场效应晶体管(TFET) 静电放电(ESD) 传输线脉冲(TLP) 带带隧穿机理
• 年，卷（期）: 2014,（17）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 178501-1-178501-8
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.178501

摘要

随着器件尺寸的不断减小，集成度的逐步提高，功耗成为了制约集成电路产业界发展的主要问题之一。由于通过引入带带隧穿机理可以实现更小的亚阈值斜率，隧道场效应晶体管(TFET)器件已成为下一代集成电路的最具竞争力的备选器件之一。但是TFET器件更薄的栅氧化层、更短的沟道长度容易使器件局部产生高的电流密度、电场密度和热量，使得其更容易遭受静电放电(ESD)冲击损伤。此外， TFET器件基于带带隧穿机理的全新工作原理也使得其ESD保护设计面临更多挑战。本文采用传输线脉冲的ESD测试方法深入分析了基本TFET器件在ESD冲击下器件开启、维持、泄放和击穿等过程的电流特性和工作机理。在此基础之上，给出了一种改进型TFET抗ESD冲击器件，通过在源端增加N型高掺杂区，有效的调节接触势垒形状，降低隧穿结的宽度，从而获得更好的ESD设计窗口。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贾嵩	北京大学微纳电子学研究院	19	79	5.0	8.0
3	王源	北京大学微纳电子学研究院	20	87	5.0	9.0
5	曹健	北京大学微纳电子学研究院	10	29	3.0	5.0
6	陆光易	北京大学微纳电子学研究院	2	8	2.0	2.0
9	张立忠	北京大学微纳电子学研究院	1	5	1.0	1.0