全碳化硅（SiC）模块技术

• 作者: 唐庆伟 张子亮 邓隐北
• 来源期刊: 磁性元件与电源
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 功率芯片 铜插头 环氧树脂 温度循环容限 低电感设计 模块技术
• 年，卷（期）: 2014,（11）
• 页码范围: 134-137
• 页数: 4页
• 分类号: TN6

摘要

SiC器件等下世代功率半导体，具有高耐压、低损耗以及可高频、高温操作这些优越的特性。为了最大限度地发挥这些优势，开发了器件由铜插头连接、由环氧脂密封的新型功率模块结构。利用这一结构，提高了温度循环容限（cycle Tolerance）；利用银烧结材料，已确认在200℃下工作的高可靠性；而且对新结构特点的充分发挥，可实现模块的低电感设计。试制的全SiC模块，可使用于太阳能光伏发电的功率调节器（conditioner）提高效率并大幅度小型化。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓隐北		27	0	0.0	0.0
2	张子亮		22	0	0.0	0.0
3	唐庆伟		16	0	0.0	0.0