单层氮化硼空位缺陷的形成与稳定性的研究

• 作者: 孙卿 欧阳艺昕 王金兰 陈乾
• 来源期刊: 化工时刊
• 关键词: 氮化硼 二维材料 空位缺陷
• 年，卷（期）: 2014,（9）
• 所属期刊栏目: 科技进展
• 页码范围: 4-8
• 页数: 5页
• 字数: 3329字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-154X.2014.09.002

摘要

本文利用密度泛函理论方法研究了单层氮化硼中多原子空位缺陷的结构和稳定性。研究发现缺陷多为对称结构，并且存在幻数现象。通过对不同尺寸缺陷离解能的回归分析，发现对于尺寸较大的缺陷，周围的氮原子数越多，缺陷越稳定，该结论很好的解释了实验中观察到的现象。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈乾	东南大学物理系	16	103	5.0	9.0
2	王金兰	东南大学物理系	4	11	2.0	3.0
3	孙卿	东南大学物理系	4	3	1.0	1.0
4	欧阳艺昕	东南大学物理系	1	2	1.0	1.0