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CuInS2纳米纸阵列薄膜的制备及生长机理
CuInS2纳米纸阵列薄膜的制备及生长机理
作者:
刘俊
庄米雪
招瑜
颜志强
魏爱香
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
溶剂热合成技术
CuInS2
纳米纸阵列薄膜
生长机理
摘要:
采用溶剂热合成技术,以氯化铜、硝酸铟和硫脲为反应物,十六烷基三甲基溴化铵( CTAB)为阳离子表面活性剂,草酸为还原剂,无水乙醇为溶剂,直接在掺氟的SnO2透明导电玻璃( FTO)衬底上合成CuInS2( CIS)薄膜.采用扫描电子显微镜( SEM)、高分辨率透射电子显微镜( HRTEM)、X射线衍射( XRD)、拉曼光谱、能量色散谱( EDS)、紫外-可见( UV-Vis)反射光谱和透射光谱对样品的形貌、结构、成分和光学性能进行分析.结果表明,在适当的反应物浓度下,在FTO衬底上形成了垂直衬底生长的、具有良好结晶性能的黄铜矿结构的CIS纳米纸阵列薄膜. CIS薄膜中Cu, In, S的原子比为1.1:1:2.09,在紫外-可见和近红外波段具有良好的光吸收特性,禁带宽度约1.51 eV.结合不同反应时间制备的CIS薄膜的形貌、结构和成分分析,讨论了CIS纳米纸阵列薄膜的生长机理.
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文献信息
篇名
CuInS2纳米纸阵列薄膜的制备及生长机理
来源期刊
高等学校化学学报
学科
化学
关键词
溶剂热合成技术
CuInS2
纳米纸阵列薄膜
生长机理
年,卷(期)
2014,(11)
所属期刊栏目
无机化学(Inorganic Chemistry)
研究方向
页码范围
2310-2316
页数
7页
分类号
O611
字数
5321字
语种
中文
DOI
10.7503/cjcu20140235
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
刘俊
广东工业大学材料与能源学院
33
141
6.0
10.0
4
魏爱香
广东工业大学材料与能源学院
42
197
7.0
11.0
6
招瑜
广东工业大学材料与能源学院
17
86
4.0
8.0
8
庄米雪
广东工业大学材料与能源学院
3
3
1.0
1.0
20
颜志强
广东工业大学材料与能源学院
3
6
2.0
2.0
传播情况
被引次数趋势
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(/年)
引文网络
引文网络
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(0)
共引文献
(0)
参考文献
(4)
节点文献
引证文献
(0)
同被引文献
(0)
二级引证文献
(0)
1999(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2001(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2010(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2012(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2014(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
溶剂热合成技术
CuInS2
纳米纸阵列薄膜
生长机理
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
高等学校化学学报
主办单位:
中华人民共和国教育部委托
吉林大学和南开大学
出版周期:
月刊
ISSN:
0251-0790
CN:
22-1131/O6
开本:
大16开
出版地:
长春市吉林大学南湖校区
邮发代号:
12-40
创刊时间:
1980
语种:
chi
出版文献量(篇)
11695
总下载数(次)
9
总被引数(次)
133912
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