直流三极溅射法制备CuInS2薄膜

• 作者: 于丹阳 小林康之 小林敏志
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 黄铜矿结构半导体 反应溅射 CuInS2薄膜 EPMA
• 年，卷（期）: 2012,（19）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 490-495
• 分类号: O484.1
• 语种: 中文

摘要

采用直流三极溅射装置制备获得了CuInS2薄膜，其中溅射靶采用一定面积比的[Cu]／[In]混合靶，反应气体采用CS2气体．本文中主要研究了0．02Pa分压反应气体条件下不同面积比的[Cu]/[Iu]混合靶和沉积基板温度对CuInS2薄膜结构和成分的影响，其中CuInS2薄膜制备所用时间为2h生长的厚度为1—2μm．通过对CuInS2薄膜的EPMA，X射线衍射测试分析表明，最佳的CuInS2薄膜可在面积比[Cu]／[In]混合靶为1．4：1和可控温度（150，250和350℃）的条件下制备获得，并且其结构被确认为黄铜矿结构．通过实验结果计算出CuInS2薄膜层有约为8．9％的C杂质含量．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于丹阳	上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系	4	13	2.0	3.0