纯钼表面包埋Si-B共渗涂层的显微组织及低温氧化行为

• 作者: 孙志平 尹忠奇 王利捷 田晓东 郭喜平
• 来源期刊: 材料热处理学报
• 学科: 工学
• 关键词: MoSi2 涂层 包埋渗 Si-B共渗 氧化
• 年，卷（期）: 2014,（8）
• 所属期刊栏目: 表面改性
• 页码范围: 171-175
• 分类号: TG174.44
• 语种: 中文

摘要

在纯钼表面进行包埋Si-B共渗,研究B改性MoSi2涂层的结构及其在600℃下的氧化行为.利用XRD,EDS,WDS分析涂层的相组成和结构,并结合热力学计算分析涂层的组织形成.结果表明:采用16Si-4B-4NaF-76Al2O3渗剂在1100 ～ 1400℃下可制备Si-B共渗涂层,涂层由外向内可分为五层:最外层MoSi2,次外层MoSi2+MoB,第三层Mo5Si3,第四层MoB和最内层Mo2B;涂层主体为MoSi2,渗入的B在与基体反应形成Mo-B化合物层的同时,还在MoSi2中形成MoB相;涂层的生长以Si,B原子向内扩散为主;在600℃氧化时涂层中的B向表面扩散并氧化生成B2O3.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭喜平	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	78	470	12.0	16.0
2	王利捷	长安大学材料学院	27	204	8.0	13.0
3	孙志平	长安大学材料学院	14	34	3.0	5.0
4	田晓东	长安大学材料学院	18	52	4.0	6.0
5	尹忠奇	长安大学材料学院	7	11	2.0	3.0