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摘要:
利用实验室自主开发的二维半导体器件电路联合仿真器对RS触发器在核电磁脉冲注入下的烧毁情况进行研究,发现烧毁发生在RS触发器内n沟道增强型MOSFET栅极和漏极之间的沟道内.RS触发器烧毁的功率阈值随着脉冲宽度的增加而降低,当脉冲宽度大于80 ns后阈值变化很小.根据仿真结果,通过热传导方程对RS触发器的烧毁情况进行建模,得到了不同脉冲宽度核电磁脉冲注入下RS触发器烧毁功率阈值的理论模型,仿真结果证明了理论模型的正确性.
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文献信息
篇名 脉冲宽度对核电磁脉冲烧毁RS触发器效应的影响
来源期刊 强激光与粒子束 学科 工学
关键词 核电磁脉冲 脉冲宽度 RS触发器 器件物理仿真 烧毁
年,卷(期) 2014,(5) 所属期刊栏目 复杂电磁环境
研究方向 页码范围 216-221
页数 6页 分类号 TN386.1
字数 3952字 语种 中文
DOI 10.11884/HPLPB201426.053203
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈曦 16 24 3.0 4.0
2 曹雷团 5 13 2.0 3.0
3 吴强 6 15 2.0 3.0
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研究主题发展历程
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核电磁脉冲
脉冲宽度
RS触发器
器件物理仿真
烧毁
研究起点
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强激光与粒子束
月刊
1001-4322
51-1311/O4
大16开
四川绵阳919-805信箱
62-76
1989
chi
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