强电磁脉冲上升时间对RS触发器损伤阈值仿真分析

• 作者: 张子剑 李茜华 王頔 陈曦 龚博
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 上升时间 RS触发器 电磁脉冲 损伤阈值 失效机理
• 年，卷（期）: 2017,（8）
• 所属期刊栏目: 复杂电磁环境
• 页码范围: 55-60
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2968字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201729.160541

摘要

对RS触发器中金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)的烧毁作用进行研究,通过仿真分析在不同入射端口、不同上升时间的条件下RS触发器的损伤阈值,结合其内部温度分布图完成失效机理分析,进而得出对于上升时间长的强电磁脉冲,需要更高的峰值场强、更长的时间才能将RS触发器烧毁.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李茜华		3	6	1.0	2.0
2	陈曦		16	24	3.0	4.0
3	张子剑		4	5	1.0	2.0
4	王頔		5	7	1.0	2.0
5	龚博		3	5	1.0	2.0