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涂层导体用Ta掺杂CeO2过渡层的研究
涂层导体用Ta掺杂CeO2过渡层的研究
作者:
刘敏
叶帅
吕昭
徐燕
索红莉
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
CeO2过渡层
掺杂
涂层导体
摘要:
采用简单的金属有机物沉积方法在自制的Ni-5W基带上成功地制备了Ta掺杂CeO2过渡层.XPS结果表明:在热处理时的还原性气氛中,Ta5+优先于Ce4+被还原为Ta4+,这有利于减少或抑制由于Ce4+被还原而产生的裂纹和孔洞.XRD结果表明除CeO2的衍射峰稍变小外,没有发现新的物相生成,这说明Ta4+部分取代了CeO2晶格中Ce4+的位置生成了Ce0.75Ta0.25O2.Ce0.75Ta0.25O2的ω-扫描和p扫描半高宽带分别是4.38°和6.67°,这表明Ce0.7sTa0.25O2具有良好的面外和面内织构.AES结果表明单层Ce0.75Ta0.25O2的厚度大约为70 nm,在过渡层的表面没有检测到Ni元素,说明该过渡层具有很好的阻止元素扩散的能力.综上说明,Ta掺杂的CeO2过渡层有望成为涂层导体用单层多功能过渡层.
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内容分析
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关键词热度
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(/年)
文献信息
篇名
涂层导体用Ta掺杂CeO2过渡层的研究
来源期刊
稀有金属材料与工程
学科
关键词
CeO2过渡层
掺杂
涂层导体
年,卷(期)
2014,(6)
所属期刊栏目
材料科学
研究方向
页码范围
1329-1331
页数
3页
分类号
字数
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
索红莉
58
156
8.0
10.0
2
刘敏
59
238
8.0
13.0
3
吕昭
2
3
1.0
1.0
4
叶帅
9
6
2.0
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5
徐燕
5
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2014(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
CeO2过渡层
掺杂
涂层导体
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
稀有金属材料与工程
主办单位:
中国有色金属学会
中国材料研究学会
西北有色金属研究院
出版周期:
月刊
ISSN:
1002-185X
CN:
61-1154/TG
开本:
大16开
出版地:
西安市51号信箱
邮发代号:
52-172
创刊时间:
1970
语种:
chi
出版文献量(篇)
12492
总下载数(次)
15
总被引数(次)
83844
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