光催化半导体Ag2ZnSnS4的第一性原理研究?

• 作者: 姚春梅 李长生 郭进 鞠志萍 黄丹
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 光催化半导体 Ag2ZnSnS4 带阶 电子结构优化
• 年，卷（期）: 2014,（24）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 247101-1-247101-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.247101

摘要

通过基于密度泛函理论的第一性原理计算，对光催化水解半导体Ag2 ZnSnS4的改性方案做了理论研究。在与同类化合物的带边位置比较后发现， Cu与Ge共掺杂能够在Ag2 ZnSnS4中实现禁带宽度和带边位置的双重调节，从而使其能带结构优化到光催化水解最为理想的状态。另外， CuGaSe2可与Ag2 ZnSnS4形成type-II型带阶结构，制备它们的异质结同样可用于提升其光催化水解性能。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚春梅	湖南文理学院物理与电子科学学院	27	110	7.0	9.0
2	李长生	湖南文理学院物理与电子科学学院	6	6	2.0	2.0
3	黄丹	湖南文理学院物理与电子科学学院	2	2	1.0	1.0
7	鞠志萍	广西高校新能源材料及相关技术重点实验室广西大学物理科学与工程技术学院	1	2	1.0	1.0
8	郭进	广西高校新能源材料及相关技术重点实验室广西大学物理科学与工程技术学院	2	2	1.0	1.0