双层SiN 膜多晶硅太阳电池抗PID性能研究

• 作者: 孔凡建 王祺 罗旌旺 芮春保
• 来源期刊: 电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅 太阳电池 电势诱导衰减 双层氮化硅膜 光伏组件
• 年，卷（期）: 2014,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 2292-2295
• 页数: 4页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 2917字
• 语种: 中文

摘要

以双层SiN 膜多晶硅太阳电池为研究对象，通过调整PECVD工艺参数制备不同折射率和厚度的双层氮化硅减反射膜太阳电池，并用玻璃、EVA和背板等将电池片封装成光伏组件，进行85℃、85%RH条件下组件电势诱导衰减(PID)实验。研究结果表明：(1)改变内层折射率和厚度保持外层较低的折射率时，双层氮化硅膜太阳电池均会发生严重的PID效应；(2)但随着外层折射率提高，电池PID效应显著减小，外层折射率≥2.15的电池PID实验600 h功率衰减小于5%；(3)双层氮化硅膜抗PID太阳电池的转化效率略低于普通太阳电池，但其组件的封装损失较小，与普通电池的组件功率相当，因此具有很好的应用前景。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孔凡建	江苏辉伦太阳能科技有限公司新能源研究中心	8	29	3.0	5.0
2	芮春保	江苏辉伦太阳能科技有限公司新能源研究中心	4	10	2.0	3.0
3	罗旌旺	江苏辉伦太阳能科技有限公司新能源研究中心	2	3	1.0	1.0
4	王祺	江苏辉伦太阳能科技有限公司新能源研究中心	2	2	1.0	1.0