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石英生长坩埚镀碳工艺研究
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摘要：
研究了在AgGaS2晶体生长石英坩埚内壁镀碳的工艺,包含了镀碳温度、镀碳时间及冷去时间对碳膜质量的影响,从而获得了最佳镀碳工艺,即采用高纯甲烷在1040℃的高温下,热解60min,并冷却12h.采用该工艺镀碳的石英坩埚解决了AgGaS2晶体在高温下与石英坩埚的粘连问题,防止了坩埚杂质向晶体中的扩散,生长出表面光滑,完整性好,大尺寸的AgGaS2晶体.
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期刊影响力
化工新型材料
主办单位：
中国化工信息中心
出版周期：
月刊
ISSN：
1006-3536
CN：
11-2357/TQ
开本：
大16开
出版地：
北京安定门外小关街53号
邮发代号：
82-816
创刊时间：
1973
语种：
chi
出版文献量（篇）
12024
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