沟槽形状对硅基沟槽式肖特基二极管电学特性的影响

• 作者: 施毅 翟东媛 蔡银飞 赵毅 郑有炓
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 肖特基二极管 金属-氧化物-半导体结构 沟槽式肖特基二极管 沟槽形状
• 年，卷（期）: 2014,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 127201-1-127201-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.127201

摘要

随着对电子产品节能环保要求的提高,对广泛应用于电子产品的肖特基二极管电学性能的要求也越来越高.含金属-氧化物-半导体结构的沟槽式肖特基二极管(trench barrier Schottky diodes, TMBS)由于其优异的性能而备受青睐.沟槽结构对提高肖特基二极管性能起着至关重要的作用,但是关于沟槽形状对二极管电学性能的影响尚未见有深入的研究报道.本文提出了两种新型的沟槽结构--圆角沟槽和阶梯型沟槽.通过模拟研究发现,圆角沟槽与传统的直角沟槽TMBS器件相比,在维持同样的漏电流和正向导通电压的条件下,击穿电压可以提高15.8%.阶梯沟槽与传统直角沟槽TMBS 器件相比,可以在击穿电压不减小的情况下,漏电降低35%,正向导通电压仅略有增加.这归结于圆角沟槽和阶梯沟槽对有源区内部电场强度分布的调节.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施毅	南京大学电子科学与工程学院	103	490	13.0	17.0
2	郑有炓	南京大学电子科学与工程学院	78	353	11.0	15.0
3	赵毅	南京大学电子科学与工程学院	6	55	3.0	6.0
4	翟东媛	南京大学电子科学与工程学院	2	6	1.0	2.0
5	蔡银飞		1	6	1.0	1.0