Sn 掺杂 In3 O2半导体薄膜的制备及其性能研究

• 作者: 张腾 钟志有 陆轴 顾锦华 龙路
• 来源期刊: 中南民族大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: Sn掺杂In3O2 半导体薄膜 光学性能
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 物理与电子信息科学
• 页码范围: 68-73
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 3633字
• 语种: 中文

摘要

采用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了Sn掺杂In3 O2（ In3 O2：Sn）半导体薄膜，通过XRD、XPS、四探针仪和分光光度计等测试表征，研究了生长速率对薄膜结构和光电性能的影响．结果表明：所制备的薄膜均具为（222）择优取向的立方锰铁矿结构，其结构参数和光电性能明显受到生长速率的影响．当生长速率为4 nm／min时，In3 O2：Sn薄膜具有最大的晶粒尺寸（32．5 nm）、最高的可见光区平均透过率（86．4％）和最大的优值因子（7．9×104Ω－1· m－1），其光电性能最好．同时采用Tauc公式计算了样品的光学带隙，结果表明：光学带隙随着生长速率的增大而单调减小．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟志有	中南民族大学电子信息工程学院	67	360	11.0	14.0
2	顾锦华	中南民族大学实验教学中心	33	183	9.0	12.0
3	龙路	中南民族大学电子信息工程学院	11	55	4.0	7.0
4	陆轴	中南民族大学电子信息工程学院	19	78	6.0	8.0
5	张腾	中南民族大学电子信息工程学院	6	50	5.0	6.0