基于双离子注入法的新型PSD结构

• 作者: 李倩 李田泽 陈祥鹏
• 来源期刊: 山东理工大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 新型PSD结构 双离子注入 退火
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 页码范围: 58-61
• 页数: 4页
• 分类号: TN929.1
• 字数: 2112字
• 语种: 中文

摘要

在分析半导体光电位置敏感探测器（PSD ）传统结构的基础上，采用双离子注入方法，研究一种新型的PSD结构。这种新型结构通过在N型硅衬底分别注入一种高剂量、低能量的硼离子和另一种高能量的硼离子形成，离子注入后在1050℃扩散炉中氧气保护退火2 h ，形成浅和低掺杂的PN结。实验结果表明，新型PSD结构可获得较高的位置分辨率、较小的响应时间误差及非线性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李田泽	山东理工大学电气与电子工程学院	79	290	10.0	12.0
2	李倩	山东理工大学电气与电子工程学院	8	17	3.0	4.0
3	陈祥鹏	山东理工大学电气与电子工程学院	3	5	1.0	2.0