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摘要:
针对半导体光波导实际制作过程中出现的典型工艺缺陷,基于有限元法提出了有效的分析方法.首次计算了真实光场入射情况下,缺陷存在时波导内部的光场,并分析了缺陷位置、大小、缺陷类型和入射光波长对半导体光波导损耗和模式耦合的影响.分析结果表明,波导传输损耗随缺陷大小和光波长振荡变化;折射率较大的缺陷,振荡频率较高;缺陷从芯区中心移向边缘时,传输损耗随波导结构尺寸振荡变化,变为单调增大.损耗能量一部分形成辐射模进入衬底,另一部分耦合成高阶模.缺陷明显增加半导体光波导损耗,改变波导传输模式,显著劣化集成光路性能.
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文献信息
篇名 典型工艺缺陷对光波导特性的影响研究
来源期刊 光电技术应用 学科 工学
关键词 半导体光波导 工艺缺陷 有限元法 传输模式分析
年,卷(期) 2015,(6) 所属期刊栏目 光电器件与材料
研究方向 页码范围 26-30
页数 5页 分类号 TN25
字数 3514字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王健 3 2 1.0 1.0
2 范哲珲 北京交通大学理学院发光与光信息技术教育部重点实验室 1 2 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
半导体光波导
工艺缺陷
有限元法
传输模式分析
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
光电技术应用
双月刊
1673-1255
12-1444/TN
大16开
天津市空港经济区纬五道9号
1982
chi
出版文献量(篇)
2224
总下载数(次)
8
总被引数(次)
9885
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
论文1v1指导