ATE测试中的 Bandgap Trim 技术研究

• 作者: 葛南 陈东坡
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 带隙基准 trim EEPROM 自动修调
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 页码范围: 70-74,78
• 页数: 6页
• 分类号: TP311
• 语种: 中文

摘要

由于工艺的影响，带隙基准电压会有一定的偏差，在ATE测试阶段，需要利用 trim技术对基准电压进行修调．通过一种EEPROM修调电路，在EEPROM 中写入trim code来控制与trim电阻并联的开关，以达到修调基准电压的目的．同时采用了一种新颖的自动修调算法，只需要测试基准电压的初始值，就可以自动找出最佳的trim co de ，对于每个芯片来说既可以节省长达63．3 m s的测试时间，又能够保证测试准确，降低了测试成本．通过对300个芯片的基准电压测试结果的分析，验证了这种算法的准确性．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈东坡	上海交通大学微电子学院	5	27	4.0	5.0
2	葛南	上海交通大学微电子学院	1	6	1.0	1.0