硅量子点双势垒存储结构及其编程机制的研究

• 作者: 冯枫 廖武刚 文西兴 曾祥斌 郑文俊 黄诗涵
• 来源期刊: 中国科学（技术科学）
• 关键词: 双势垒 硅量子点 编程机制 存储器
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 62-67
• 页数: 6页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1360/N092014-00120

摘要

采用等离子体化学气相沉积(PECVD)及热退火方法制备了含硅量子点的SiCx薄膜.透射电子显微镜(TEM)观测表明SiG薄膜中生长了大量硅量子点.制备了含SiG薄膜包裹硅量子点的双势垒存储器结构.TEM观测表明,采用上述工艺成功制备了Si3N4/SiCx薄膜/Si-QDs/SiCx薄膜/SiO2双势垒结构的存储器结构.利用硅量子点的库伦阻塞效应及量子限域效应,从理论上分析了双势垒硅量子点存储器的编程机制,建立了双势垒存储结构阈值电压漂移模型,模拟仿真表明双势垒存储器的阈值电压漂移要大于单势垒存储器,编程速度更快.存储结构C-V特性测试表明,样品在扫描栅压为±12 V时有10V左右的存储窗口,证明双势垒存储结构具有良好载流子存储效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾祥斌		45	285	10.0	14.0
2	文西兴		2	3	1.0	1.0
3	廖武刚		3	19	2.0	3.0
4	郑文俊		1	0	0.0	0.0
5	冯枫		1	0	0.0	0.0
6	黄诗涵		1	0	0.0	0.0