原文服务方: 微电子学与计算机       
摘要:
为了进一步降低ARM Cortex M0处理器的功耗,提出了一种基于In‐Situ AVS(Adaptive Voltage Scaling )技术的低功耗电路实现方法.该方法通过电路的路径延时估算出监测窗口大小(ΔT)和电压调整的错误(pre‐error)数量阈值(nlimit ),将部分关键路径的触发器替换成实时延时检测电路,对重要的几条路径的延时和错误进行实时监测,经AVS控制单元和电压调整模块随着PVTA的变化自适应地调整电压,有效地降低电路功耗.在SMIC 180 nm工艺下设计了一款ARM Cortex M0处理器,将此方法应用于处理器的一个关键模块,即AHB到APB的桥接电路(AHB_to_APB).测试结果表明,在一个观测区间(N=1000)内错误率为8.9E‐4时,电路功耗降低了28%.
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文献信息
篇名 一种基于 In-Situ AVS 技术的低功耗处理器实现方法
来源期刊 微电子学与计算机 学科
关键词 低功耗 In-Situ AVS 监测窗口 实时延时检测电路
年,卷(期) 2015,(10) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 12-16
页数 5页 分类号 TN492
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨浩 中国科学院微电子研究所 112 4085 31.0 63.0
2 李江涛 69 814 14.0 26.0
3 王敏 186 1652 21.0 34.0
5 乔树山 中国科学院微电子研究所 53 272 9.0 14.0
8 秋攀 3 18 2.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
低功耗
In-Situ AVS
监测窗口
实时延时检测电路
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学与计算机
月刊
1000-7180
61-1123/TN
大16开
1972-01-01
chi
出版文献量(篇)
9826
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59060
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