具有二氧化硅温度补偿层的薄膜体声波谐振器的建模与分析

• 作者: 何婉婧 何移 周斌 高杨
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 射频微电子机械系统 薄膜体声波谐振器 频率漂移 温度系数 稳定性 有限元分析
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 微纳技术
• 页码范围: 169-174
• 页数: 6页
• 分类号: TN713
• 字数: 543字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201527.014103

摘要

薄膜体声波谐振器(FBAR)的谐振频率会受到外界环境温度的影响而产生漂移,对于FBAR滤波器而言,这种温度-频率漂移特性会导致其中心频率、插入损耗、带内纹波等性能发生变化,降低其在电学应用中的可靠性.应用ANSYS有限元分析软件,对一个典型Mo-AlN-Mo三层结构的FBAR进行了温度-频率漂移特性的仿真,得到其在[-50℃,150℃]温度范围内的频率温度系数(TCF)约为-35×10-6/℃.在FBAR叠层薄膜结构中添加了一层具有正温度系数的二氧化硅温度补偿层,分析了该补偿层厚度对FBAR的温度-频率漂移特性、谐振频率和机电耦合特性的影响.设计了具有一层二氧化硅温度补偿层的FBAR叠层,由Mo/AlN/SiO2/Mo多层薄膜构成,仿真得到其频率温度系数为0.872×10-6/℃;与没有温度补偿层的FBAR相比,温度稳定性得以显著改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高杨	中国工程物理研究院电子工程研究所	150	833	13.0	19.0
2	周斌	西南科技大学信息工程学院	11	64	5.0	7.0
3	何移	西南科技大学信息工程学院	11	65	5.0	7.0
4	何婉婧	重庆大学新型微纳器件与系统技术国防重点学科实验室	4	11	2.0	3.0