硅纳米线尖端阵列的制备及其场发射性能研究

• 作者: 叶亚云 廖威 张丽娟 张传超 栾晓雨 王海军 蒋一岚 袁晓东 陈静
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅纳米尖端阵列 银镜反应 金属催化化学刻蚀 场发射
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 微纳技术
• 页码范围: 165-168
• 页数: 4页
• 分类号: O462.4
• 字数: 1962字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201527.014102

摘要

将银镜反应与金属催化化学刻蚀相结合,在室温附近成功地制备出了硅纳米线尖端阵列,其长度为4～7 μm,中间部分的直径在100～300 nm之间.该方法操作简单、高效、无毒、可控以及低成本,且不需要高温、复杂的设备,对环境也没有特殊要求.性能测试结果显示:该硅纳米材料能够有效实现电子发射,开启电场约为2.7 V/μm(电流密度10 μA/cm2处);硅纳米尖端阵列的场增强因子约为692,可应用在场发射器件之上.