硅基MZI结构光调制器静态消光比

• 作者: 周志彬 孙秋冬 左健存 张华 方安乐 桂林 王胜利 邵宇丰
• 来源期刊: 上海第二工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅光子学 光调制器 MZI结构 消光比 光通信
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 机械与电子
• 页码范围: 228-235
• 页数: 8页
• 分类号: TN256
• 字数: 6253字
• 语种: 中文

摘要

硅基光调制器技术是当前硅基光子学技术领域较为活跃的一个分支.结合硅基光子器件的材料特性和常见横截面波导结构,研究了硅基MZI结构光调制器的静态消光比特性,论述了光调制器发"1"码时所加峰值电压、工作波长选择和移相器几何尺寸对静态消光比的影响.研究表明,光调制器发"1"码时所加峰值电压较小时,消光比的变化量较大;在其他参数相同的情况下,工作波长的选择对光调制器的消光比有很大影响;在调制器尺寸选择方面,倾向于选择两臂较长,但两臂长度差较小的结构,因为此时的消光比较大,同时对工作波长变化不敏感.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周志彬	湖南师范大学物理与信息科学学院	10	48	2.0	6.0
2	孙秋冬	上海第二工业大学计算机与信息工程学院	35	235	8.0	14.0
3	方安乐	上海第二工业大学计算机与信息工程学院	3	4	1.0	2.0
4	邵宇丰	上海第二工业大学计算机与信息工程学院	8	8	2.0	2.0
5	左健存	上海第二工业大学计算机与信息工程学院	7	3	1.0	1.0
6	桂林	上海第二工业大学计算机与信息工程学院	9	1	1.0	1.0
7	王胜利	上海第二工业大学文理学部	5	1	1.0	1.0