基于无催化剂化学气相沉积法的氮化镓纳米线制备和表征

• 作者: 张勃 李林虎 沈龙海
• 来源期刊: 井冈山大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 石英 GaN纳米线 缺陷能级
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 页码范围: 81-84
• 页数: 4页
• 分类号: O471.4
• 字数: 1619字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-8085.2015.01.016

摘要

采用化学气相沉积法，通过金属镓和氨气的直接反应，在石英衬底上沉积出GaN纳米线。利用 XRD和SEM对制备的 GaN 纳米线进行了结构和形貌的表征。结果表明合成的GaN纳米线为六方纤锌矿结构，直径为100~200 nm，长度达几微米，GaN纳米线的生长符合VLS生长模型。室温PL光谱表明GaN纳米线在395 nm和566 nm的发光峰主要与Ga空位或者N空位引起的缺陷能级相关。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈龙海	沈阳理工大学理学院	23	41	4.0	5.0
2	张勃	沈阳理工大学理学院	3	4	1.0	2.0
3	李林虎	沈阳理工大学理学院	3	4	1.0	2.0