AlGaN纳米线的化学气相沉积制备及表征

• 作者: 叶凡 张东平 梁广兴 王欢 罗景庭 苏小强 范平 蔡兴民 郑壮豪
• 来源期刊: 深圳大学学报（理工版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 无机非金属材料 低维材料 化合物半导体 纳米线 化学气相沉积 光致发光
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 638-644
• 页数: 7页
• 分类号: O782|O472
• 字数: 3806字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1249.2015.06638

摘要

以Ga、金属Al颗粒或AlCl3·6H2O粉末及NH3为原料,利用化学气相沉积法生长AlxGa1-xN纳米线.研究发现,气体的流速、基底有无催化剂、原材料及生长温度等都对其生长有影响.在总流量固定的前提下,较高的NH3流量比会在基底上生长出致密的AlxGa1-xN纳米线.同样生长条件下,在未经催化剂处理的Si基底表面没有观察到纳米线.对于蓝宝石基底,催化剂存在与否都会生长出AlxGa1-xN纳米线.研究表明,原材料对于AlxGa1-xN纳米线的生长和性能都有影响.相比于AlCl3,以金属Al颗粒作为Al源,AlxGa1-xN纳米线能够在较大的温度范围内生长,且有较好的光致发光特性.