ECC校验辅助的MBISR设计实现

• 作者: 任秀江 施晶晶 曹志强
• 来源期刊: 高性能计算技术
• 学科: 工学
• 关键词: MBSIR MBIST ECC 优化设计
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 页码范围: 67-72
• 页数: 6页
• 分类号: TP391
• 语种: 中文

摘要

随着微电子工艺的不断进步,SOC芯片设计中SRAM所占面积越来越大,SRAM的缺陷率成为影响芯片成品率的重要因素.本文中提出的ECC辅助的存储器自修复(MBISR)优化设计,采用March C+算法对冗余的SRAM进行在线测试和修复,修复逻辑增加ECC校验因素,能够提高存储器的容错能力,进而提高芯片成品率.45nm工艺下,DC工具逻辑综合延迟为0.6ns,该优化设计逻辑能够达到1GHz的工作频率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任秀江		8	10	2.0	3.0
2	施晶晶		7	5	1.0	2.0
3	曹志强		5	8	2.0	2.0