Soitec与SITRI携手共同开发射频SOI技术

• 来源期刊: 集成电路通讯
• 学科: 工学
• 关键词: SOI技术 射频 开发 INDUSTRIAL 半导体公司 研究机构 电路设计 衬底材料
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 页码范围: 5-5
• 页数: 1页
• 分类号: TN43

摘要

法国半导体公司Soitec与上海Industrial μTechnology研究机构（SITRI）共同签署一项协议，将采用基于Soitec公司衬底材料和相关技术的先进电路设计进一步开发RF—SOI技术。 双方合作的目标是为了巩固他们在射频市场的地位，其中重点关注快速发展的中国射频生态系统。