MEMS与SOI CMOS单片集成的模拟研究

• 作者: 于晓梅 张大成 张海涛 王小保
• 来源期刊: 中国机械工程
• 学科: 工学
• 关键词: SOI 半耗尽 悬臂梁 集成化
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 所属期刊栏目: 微纳系统设计理论与CAD技术
• 页码范围: 315-317
• 页数: 3页
• 分类号: TN405|TP391
• 字数: 2398字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-132X.2005.z1.110

摘要

基于MEMS技术和SOI CMOS技术提出了一个包含放大电路与悬臂梁式压阻传感器的集成化方案.分析了半耗尽SOI CMOS和全耗尽SOI CMOS的器件性能,设计了特征尺寸为3μm的半耗尽SOI CMOS模拟放大电路和悬臂梁式压阻传感器的单片集成工艺.通过对器件、电路和工艺的模拟与仿真,证明了本集成化方案的可行性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张大成		43	793	13.0	27.0
2	张海涛		8	9	2.0	2.0
3	于晓梅		11	65	5.0	8.0
4	王小保		4	25	2.0	4.0