TiN/Si3N4复合材料的磁控溅射制备及其电性能研究

• 作者: 何子臣 康立敏 王再义 王守兴 魏美玲
• 来源期刊: 现代技术陶瓷
• 关键词: TiN Si3N4 厚度 方阻
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 页码范围: 3-5,13
• 页数: 4页
• 字数: 2459字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16253/j.cnki.37-1226/tq.2015.01.001

摘要

利用直流反应磁控溅射法在Si3 N4陶瓷基体上制备了 T iN导电薄膜。采用X射线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）和电子能谱（EDS）对薄膜的物相组成以及表面形貌进行分析，表明 TiN薄膜均匀，且与基体有较强的附着力。采用SZ82型四探针测试仪对薄膜进行了方阻随厚度变化的分析，表明薄膜的厚度对薄膜的电性能有很大的影响。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏美玲		18	124	6.0	10.0
2	王守兴		5	7	2.0	2.0
3	康立敏		3	3	1.0	1.0
4	王再义		5	7	2.0	2.0
5	何子臣		4	9	2.0	3.0