氧化剂在TSV铜膜CMP中钝化机理

• 作者: 刘玉岭 张燕 王辰伟 邓海文 闫辰奇
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 去除速率 硅通孔化学机械抛光(TSV CMP) 开路电位 静态腐蚀电位 钝化作用 氧化剂
• 年，卷（期）: 2015,（11）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 737-740
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2015.11.011

摘要

为实现TSV硅衬底表面铜去除速率的优化,对影响TSV铜去除速率的最主要因素抛光液组分(如磨料、螯合剂、活性剂和氧化剂)中的氧化剂进行分析.通过对不同体积分数的氧化剂电化学实验进行钝化机理的研究,从而得到最佳的氧化剂体积分数,再进行铜的静态腐蚀实验和抛光实验对铜的去除速率进行验证.实验结果表明,氧化剂体积分数为0.5％时铜具有较高的去除速率,能够满足工业需要.最后,对CMP过程机理和钝化机理进行分析,进一步验证了氧化剂在TSV铜化学机械平坦化中的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	张燕	河北工业大学微电子研究所	55	238	8.0	13.0
3	邓海文	河北工业大学微电子研究所	5	7	2.0	2.0
4	王辰伟	河北工业大学微电子研究所	80	287	8.0	10.0
5	闫辰奇	河北工业大学微电子研究所	11	34	3.0	5.0