S频段pHEMT双通道低噪声放大器芯片的设计

• 作者: 张波 徐辉 徐鑫 王毅
• 来源期刊: 微波学报
• 关键词: S频段 双通道 低噪声放大器 单刀双掷开关 共源共栅场效应管
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 学术论文与技术报告
• 页码范围: 83-87
• 语种: 中文
• DOI: 10.14183/j.cnki.1005-6122.201501018

摘要

采用GaAs 0.13μm pHEMT MMIC流片工艺设计和制作了一种S频段双通道低噪声放大器芯片,芯片内部集成了两个低噪声放大器通道、一级单刀双掷(SPDT)开关和一个晶体管-晶体管逻辑(TTL)电平转换电路.低噪声放大器电路采用一级共源共栅场效应管(Cascode FET)结构实现,使其具有比单管更高的增益,简化了芯片拓扑,降低了芯片设计难度.经流片测试,在1.9 ～2.1GHz的工作频带内,芯片噪声系数优于1.4dB,增益大于22.5dB,输入驻波优于1.8,输出驻波优于1.4,输出1dB压缩点(P1da)为10dBm.大量芯片样本在片测试统计数据表明该低噪声放大器成品率大于90％,性能指标优于目前同类商业芯片指标.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐鑫		5	16	2.0	4.0
2	张波		11	45	5.0	6.0
3	徐辉		12	60	4.0	7.0
4	王毅		7	14	2.0	3.0