碳锗掺杂对硅纳米管电子结构和光电性质的影响

• 作者: 余志强 廖红华 张昌华 李时东
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 硅纳米管 电子结构 光电性质
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 233-239
• 页数: 7页
• 分类号: O471
• 字数: 3104字
• 语种: 中文
• DOI: 10.15541/jim20140439

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算，研究了 C/Ge 掺杂对单壁扶手型硅纳米管电子结构和光电性质的影响。结果表明，本征态和C/Ge掺杂的硅纳米管均属于直接带隙半导体，其价带顶主要由Si-3p态电子构成，而导带底则主要由Si-3p态电子决定。通过C掺杂，可使硅纳米管的禁带宽度减小，静态介电常数增大，吸收光谱产生红移；而通过Ge掺杂，可使硅纳米管的禁带宽度增大，静态介电常数减小，吸收光谱产生蓝移。研究结果为硅纳米管在光电器件方面的应用提供了理论基础。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	廖红华	湖北民族学院电气工程系	71	326	10.0	15.0
2	李时东	湖北民族学院电气工程系	32	87	5.0	7.0
3	张昌华	湖北民族学院电气工程系	28	131	6.0	10.0
4	余志强	湖北民族学院电气工程系	19	53	4.0	6.0