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摘要:
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了 C/Ge 掺杂对单壁扶手型硅纳米管电子结构和光电性质的影响。结果表明,本征态和C/Ge掺杂的硅纳米管均属于直接带隙半导体,其价带顶主要由Si-3p态电子构成,而导带底则主要由Si-3p态电子决定。通过C掺杂,可使硅纳米管的禁带宽度减小,静态介电常数增大,吸收光谱产生红移;而通过Ge掺杂,可使硅纳米管的禁带宽度增大,静态介电常数减小,吸收光谱产生蓝移。研究结果为硅纳米管在光电器件方面的应用提供了理论基础。
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文献信息
篇名 碳锗掺杂对硅纳米管电子结构和光电性质的影响
来源期刊 无机材料学报 学科 物理学
关键词 第一性原理 硅纳米管 电子结构 光电性质
年,卷(期) 2015,(3) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 233-239
页数 7页 分类号 O471
字数 3104字 语种 中文
DOI 10.15541/jim20140439
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 廖红华 湖北民族学院电气工程系 71 326 10.0 15.0
2 李时东 湖北民族学院电气工程系 32 87 5.0 7.0
3 张昌华 湖北民族学院电气工程系 28 131 6.0 10.0
4 余志强 湖北民族学院电气工程系 19 53 4.0 6.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
第一性原理
硅纳米管
电子结构
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研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
无机材料学报
月刊
1000-324X
31-1363/TQ
16开
上海市定西路1295号
4-504
1986
chi
出版文献量(篇)
4760
总下载数(次)
8
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
论文1v1指导