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碳锗掺杂对硅纳米管电子结构和光电性质的影响
碳锗掺杂对硅纳米管电子结构和光电性质的影响
作者:
余志强
廖红华
张昌华
李时东
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
第一性原理
硅纳米管
电子结构
光电性质
摘要:
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了 C/Ge 掺杂对单壁扶手型硅纳米管电子结构和光电性质的影响。结果表明,本征态和C/Ge掺杂的硅纳米管均属于直接带隙半导体,其价带顶主要由Si-3p态电子构成,而导带底则主要由Si-3p态电子决定。通过C掺杂,可使硅纳米管的禁带宽度减小,静态介电常数增大,吸收光谱产生红移;而通过Ge掺杂,可使硅纳米管的禁带宽度增大,静态介电常数减小,吸收光谱产生蓝移。研究结果为硅纳米管在光电器件方面的应用提供了理论基础。
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篇名
碳锗掺杂对硅纳米管电子结构和光电性质的影响
来源期刊
无机材料学报
学科
物理学
关键词
第一性原理
硅纳米管
电子结构
光电性质
年,卷(期)
2015,(3)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
233-239
页数
7页
分类号
O471
字数
3104字
语种
中文
DOI
10.15541/jim20140439
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
廖红华
湖北民族学院电气工程系
71
326
10.0
15.0
2
李时东
湖北民族学院电气工程系
32
87
5.0
7.0
3
张昌华
湖北民族学院电气工程系
28
131
6.0
10.0
4
余志强
湖北民族学院电气工程系
19
53
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研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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无机材料学报
主办单位:
中国科学院上海硅酸盐研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-324X
CN:
31-1363/TQ
开本:
16开
出版地:
上海市定西路1295号
邮发代号:
4-504
创刊时间:
1986
语种:
chi
出版文献量(篇)
4760
总下载数(次)
8
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国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
期刊文献
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