高氮分压对碳热还原/氮化法合成氮化硅的影响

• 作者: John Sharp Oleg Ostrovski 万小涵 俞乐 张广清
• 来源期刊: 有色金属工程
• 学科: 工学
• 关键词: 高压 Si3N4稳定性 连续反应
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 材料制备与加工
• 页码范围: 9-12
• 页数: 4页
• 分类号: TM286|TF123.3
• 字数: 2372字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2095-1744.2015.04.003

摘要

碳热还原/氮化合成氮化硅在1 450～1 650℃、氮气分压700～1 100 kPa下进行.非晶二氧化硅与石墨粉末以n(C)/n(SiO2)=4.5比率混合、压片.样品中的氧、氮、碳含量通过LECO元素分析仪测得.反应物和生成物中各物质组成通过XRD定性分析.结果表明,通过增加氮气分压,氮化硅的稳定温度升高,二氧化硅的还原速率随着温度升高而变大.碳化硅的生成仍无法避免.与常压下的碳热还原/氮化反应一致,高压下的碳化硅和氮化硅的生成亦为连续反应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	万小涵	澳大利亚新南威尔士大学材料科学与工程学院	2	4	2.0	2.0
2	张广清	澳大利亚卧龙岗大学机械材料与机电一体化学院	2	4	2.0	2.0
3	John Sharp	澳大利亚新南威尔士大学材料科学与工程学院	1	2	1.0	1.0
4	Oleg Ostrovski	澳大利亚新南威尔士大学材料科学与工程学院	2	4	2.0	2.0
5	俞乐	澳大利亚新南威尔士大学材料科学与工程学院	1	2	1.0	1.0