Lu2SiO5晶体电子结构的模拟研究

• 作者: 严非男 刘廷禹 夏贯芳 陈俊
• 来源期刊: 光学仪器
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 电子结构 点缺陷
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 设计与研究
• 页码范围: 138-141
• 页数: 4页
• 分类号: O482
• 字数: 2087字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-5630.2015.02.010

摘要

基于密度泛函理论,GGA-PBE交换相关势研究了含氧空位和氧填隙的Lu2 SiO5 (LSO)晶体的电子结构.详细讨论电子态密度,分析了含氧空位的LGO晶体的电子态密度,结果显示,在禁带中出现了一个新的态密度分布,Vo5能产生一个吸收带,该吸收带位于400～500nm之间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘廷禹	上海理工大学理学院	55	124	5.0	7.0
2	陈俊	上海理工大学理学院	21	54	4.0	6.0
3	严非男	上海理工大学理学院	24	37	4.0	5.0
4	夏贯芳	上海理工大学理学院	4	9	3.0	3.0