Tb∶Lu2SiO5光学薄膜的结构演变和发光性能

• 作者: 孙智 施鹰 王宇 谢建军 雷芳
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Sol-gel法 Tb∶Lu2SiO5光学薄膜 结构演变 发光性能
• 年，卷（期）: 2016,（11）
• 页码范围: 2561-2566
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 4048字
• 语种: 中文

摘要

采用溶胶-凝胶法结合旋涂工艺在单晶硅(111)上制备了Tb3+离子不同掺杂浓度的硅酸镥光学薄膜(Tb∶Lu2SiO5),利用热重差热分析(TG-DSC)、X射线衍射(XRD)、傅里叶红外光谱仪(FTIR)、原子力显微镜(AFM)和紫外可见荧光光谱(PL)对Tb∶Lu2SiO5薄膜的不同温度热处理的结构演变和发光性能进行了表征.研究结果表明Tb∶Lu2SiO5光学薄膜表面均匀、平整、无裂纹,薄膜样品从800℃开始晶华,1100 ℃时晶化完全.Tb∶Lu2SiO5的发光性能表现为Tb3+离子的4f→5d和5D4(5D3)→7FJ(J =6,5,4,3)跃迁结果(监测波长分别为480～650 nm和350～470 nm),激发主峰位于～240 nm,发射光谱主峰为542 nm的绿光发射.研究表明Tb3掺杂浓度对Tb∶Lu2SiO5光学薄膜的发光强度会产生明显影响,掺杂15mol％的Tb3+时,Tb∶Lu2SiO5薄膜的发光强度最强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王宇	上海大学材料科学与工程学院光电子材料与器件研究中心	8	6	1.0	2.0
3	谢建军	上海大学材料科学与工程学院光电子材料与器件研究中心	40	103	6.0	8.0
4	施鹰	上海大学材料科学与工程学院光电子材料与器件研究中心	44	146	8.0	9.0
5	孙智	四川工商职业技术学院轻化工程系	4	1	1.0	1.0
8	雷芳	上海大学材料科学与工程学院光电子材料与器件研究中心	10	17	3.0	4.0