碳化硅直接键合及其界面微观结构分析

• 作者: 刘雨涛 张瑞 梁庭 熊继军 王心心 王涛龙 贾平岗
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅键合 键合强度 微观结构 亲水性表面处理 退火 过渡层
• 年，卷（期）: 2015,（11）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 729-732,746
• 分类号: TN305
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2015.11.009

摘要

针对碳化硅(SiC)材料在微电子制造和封装过程中广泛的应用前景,对碳化硅与碳化硅进行了直接键合实验.通过拉伸实验进行了样品键合强度的测试以及借助扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)等对碳化硅键合样品界面的微观结构进行了分析.结果表明:亲水性表面处理和高温退火是形成界面过渡层的主要因素,并且界面过渡层的形成增强了碳化硅牢固的键合效果.