半导体纳米环中激子的磁场效应

• 作者: 解文方
• 来源期刊: 广州大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 激子 量子环 半导体
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 数学与物理学
• 页码范围: 18-24
• 页数: 7页
• 分类号: O471
• 语种: 中文

摘要

在有效质量近似下,采用矩阵对角化方法,研究了半导体纳米环中激子的磁场效应.研究发现半导体纳米环中激子的谐振子强度随磁通变化呈现Aharonov-Bohm振荡,振子强度的振幅随纳米环的半径增加而减少.讨论了线性、三阶非线性和总光学吸收系数随环半径和磁通的变化关系,结果表示半导体纳米环中激子的光吸收随磁通的变化显示Aharonov-Bohm效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	解文方	广州大学物理与电子工程学院	7	10	1.0	3.0