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摘要:
以互锁存储单元(DICE)结构为基础,采用0.35μm CMOS工艺,设计了一种具有抗单粒子翻转的带置位端的 D 触发器。通过将数据存放在不同节点以及电路的恢复机制,使单个存储节点具有抗单粒子翻转的能力。通过 Spectre 仿真,测试了触发器的抗单粒子翻转能力。在版图设计中采用增大敏感节点距离和 MOS 管尺寸的方法进一步提高了 D 触发器抗单粒子翻转的能力。
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文献信息
篇名 一种抗单粒子翻转的D触发器
来源期刊 微处理机 学科 工学
关键词 集成电路设计 单粒子翻转 双互锁存储单元 D触发器
年,卷(期) 2015,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 10-12,15
页数 4页 分类号 TN402
字数 2398字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1002-2279.2015.01.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨玉飞 中国电子科技集团公司第四十七研究所 6 8 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
集成电路设计
单粒子翻转
双互锁存储单元
D触发器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微处理机
双月刊
1002-2279
21-1216/TP
大16开
沈阳市皇姑区陵园街20号
1979
chi
出版文献量(篇)
3415
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7
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