化学水浴法制备大面积CdS薄膜及其性能研究

• 作者: 乔在祥 张旭 李巍 王赫
• 来源期刊: 电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: 大面积CdS(硫化镉)薄膜 化学水浴工艺 CIGS薄膜太阳电池
• 年，卷（期）: 2015,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 1685-1687
• 页数: 3页
• 分类号: TM914
• 字数: 3316字
• 语种: 中文

摘要

采用化学水浴法在聚酰亚胺(PI)衬底上沉积铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池的缓冲层CdS薄膜.研究了反应溶液浓度和沉积时间对大面积CdS薄膜表面形貌和晶体结构的影响,优化了化学水浴沉积大面积CdS薄膜工艺.采用5×10-3 mol/L的(CH3COO)2cd、0.05mol/L的SC(NH2)2、1.5×10-2 mol/L的CH3COONH4、6.5×10-3 mol/L的NH3·H2O配置的反应溶液,75℃恒温水浴,沉积时间10 min作为工艺条件,在CIGS吸收层上沉积了面积为30 cm×30 cm、具有较好结晶质量的CdS薄膜.在此基础上完成柔性CIGS薄膜太阳电池制备,在AM 1.5,25℃条件下,面积约为2.5 cm2的柔性CIGS薄膜太阳电池最高光电转换效率达到9.12％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王赫	中国电子科技集团公司第十八研究所	13	16	2.0	3.0
2	乔在祥	中国电子科技集团公司第十八研究所	16	28	3.0	5.0
3	李巍	中国电子科技集团公司第十八研究所	8	22	3.0	4.0
4	张旭	中国电子科技集团公司第十八研究所	11	23	3.0	4.0