CdS纳米薄膜的水浴法制备与表征

• 作者: 娄朝刚 张晓兵 王建波 雷威
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 物理学
• 关键词: CdS薄膜 水浴法 太阳能电池
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 场发射与真空微纳电子会议专辑
• 页码范围: 22-25
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2298字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-8935.2006.01.007

摘要

CdS是一种直接能隙半导体,其带隙约为2.42 eV,是一种良好的太阳能电池窗口层材料和过渡层材料.化学水浴法沉积CdS薄膜具有工艺简单,成本低廉,成膜均匀、致密以及可大面积生产等优点.本文通过对化学水浴法沉积CdS薄膜的研究,阐述了CdS膜的生成和生长过程及其机理,并不断优化此方法中的各种工艺参数,得到了适合做铜铟镓硒薄膜太阳能电池过渡层的CdS薄膜,并对该薄膜的形貌、结构和性能进行了分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	雷威	东南大学电子工程系	89	538	12.0	18.0
2	张晓兵	东南大学电子工程系	87	746	13.0	24.0
3	娄朝刚	东南大学电子工程系	16	55	5.0	6.0
4	王建波	东南大学电子工程系	5	60	4.0	5.0